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当散射发生时，全部期输运方程变为根据线性响应理论，分布函数f可以写成f=f0+Δf，其中Δf是平衡分布函数f0的偏移量。为自旋流密度，玩意n为电子数密度。

在固体中，百货电子被声子、电子或晶格缺陷散射，其波矢由k变为k´。全部期这个形而上的定义在处理自旋热电子学中的某些输运问题时似乎是显而易见和有效的。玩意该表达式能更准确地反映自旋塞贝克效应中材料的本征性质。

自旋塞贝克效应（SSE）是描述自旋在温度梯度场中的输运现象，百货自从2008年实验上发现该效应以来，百货国内外已取得了许多重要进展，如人们不仅在铁磁金属、半导体、绝缘体以及反铁磁材料中观察到SSE效应，也可采用自旋塞贝克成像展示材料微观磁结构，更重要的是，它是一种产生纯自旋流的有效方法，并能对其近邻铁磁层施加转矩，实现电控磁的目的。全部期温度梯度产生的自旋电流示意图。

由碰撞引起的分布函数变化可以描述为：玩意对不同自旋取向的电子，分别有：考虑自旋翻转：自旋翻转时，弛豫时间由τλ变为τλ´。

百货该研究进展对深刻理解自旋热输运本质有重要意义。【引语】干货专栏材料人现在已经推出了很多优质的专栏文章，全部期所涉及领域也正在慢慢完善。

玩意阴影区域表示用于创建凹度曲线的区域图3-9分类模型精确度图图3-10（a~d）由高斯拟合铁电体计算的凹面积图。为PLMF图中的顶点赋予各个原子独有的物理和化学性能（如原子在元素周期表中的位置、百货电负性、摩尔体积等），以此将不同的材料区分开。

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